Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P IRF5305 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF5305

• Tipo: Canal-P

• Tensão de ruptura Dreno-Source: -55 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,06 Ω

• Corrente contínua Dreno: -31A

• Carga Total da Gate: 63 nC

• Dissipação de energia: 110 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRF5305 e IRF5305PBF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF5305

O transistor Mosfet IRF5305 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF5305PBF, UTT50P06, UTT70P10, IRFP4905, UTT50P10.

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