Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P IRF9640PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF9640PbF

• Tipo: Canal-P
• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): -200 V
• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ±20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 0,50 Ω
• Corrente contínua Dreno (I_D): -11A
• Dissipação de energia (Q_g): 125 W
• Carga de Gate Total (P_D): 44 nC
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF9640PbF

O transistor Mosfet IRF9640PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF9640, FQP12P20, FQPF12P20, SIHF9640.

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