Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P IRF9Z24N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF9Z24N

• Tipo: Canal-P
• Tensão de ruptura Dreno-Source: -55 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,175 Ω
• Corrente contínua Dreno: -12 A
• Carga Total da Gate: 19 nC
• Dissipação de energia: 45 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF9Z24N

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF9Z24N

O transistor MOSFETs IRF9Z24N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

20P10, 30P10A, 25P06, IRFP4905.

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