Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P SMD PMV65XP (M9) - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet SMD PMV65XP (M9)

• Marcação SMD: M9

• Tipo: Canal-P

• Tensão de ruptura Dreno-Source: -20 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,052Ω ou 52 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 4,3A

• Carga Total da Gate: 14,3 nC

• Dissipação de energia Total: 4,165 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-236 (SOT-23)

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor PMV65XP

O transistor Mosfet PMV65XP pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

AO3407, UT6401, UT9435H, UT9435HZ.

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