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Características Básicas do Transistor Bipolar 2SB817-D
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -140 V
- Tensão Coletor-Base: -160 V
- Tensão Emissor-Base: -6 V
- Corrente-Coletor: -12 A
- Dissipação de Coletor: 100 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 60 a 120
- Frequência de Transição: 15 Mhz
- Range de temperatura da junção de operação: -40 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-3PN
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Classificação hFE
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a
letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu
encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor 2SB817 estará entre:
Par Complementar do Transistor:
O transistor PNP 2SB817-D é complementar do transistor NPN
2SD1047-D
Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SB817-D
O transistor 2SB817-D pode
ser substituído pelos seguintes transistores:
2SA1294, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1942,
2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2063, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2223,
2SB1162, 2SB1163, 2SB1429, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962,
KTB817, MAG9413, MJW1302A, NTE2329.
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