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Características Básicas do Transistor Bipolar 2SB817-E
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -140 V
- Tensão Coletor-Base: -160 V
- Tensão Emissor-Base: -6 V
- Corrente-Coletor: -12 A
- Dissipação de Coletor: 100 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 100 a 200
- Frequência de Transição: 15 Mhz
- Range de temperatura da junção de operação: -40 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-3PN
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Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Classificação hFE
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia
conforme a letra sinalizada no final da descrição do
transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor 2SB817 estará entre:
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia
conforme a letra sinalizada no final da descrição do
transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor 2SB817 estará entre:
Par Complementar do Transistor:
O transistor PNP 2SB817-E é complementar do transistor NPN
2SD1047-E
Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SB817-E
O transistor 2SB817-E pode
ser substituído pelos seguintes transistores:
2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB817C, KTB817, KTB817-Y,
KTB817B, KTB817B-Y, MJW1302A, MJW1302AG.
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