Pinagem-Pinout-transistor-NPN-2SD965Q-Características-Substituição |
Características Básicas do Transistor Bipolar 2SD965Q
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 20 V
- Tensão Coletor-Base: 40 V
- Tensão Emissor-Base: 7 V
- Corrente-Coletor: 5 A
- Dissipação de Coletor: 0,75 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 230 a 380
- Frequência de transição: 150 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
-
Encapsulamento: TO-92
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Classificação hFE
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme
a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu
encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do
transistor 2SD965 estará entre:
Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SD965Q
O transistor 2SD965Q pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
2SD965; 2SD966, FJN5471, FJN965, KTD1146.
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