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Características Básicas do Transistor Bipolar MJ802
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor Emissor: 90 V
- Tensão Base Coletor: 100 V
- Tensão Base Emissor: 4 V
- Corrente Coletor: 30 A
- Dissipação de Coletor: 200 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 25 a 100
- Frequência de Transição: 2 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
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Encapsulamento: TO-3
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Módulos!Par Complementar do Transistor:
Substitutos e Equivalentes para o Transistor MJ802
O transistor MJ802 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2N5671, 2N5672, 2N6274, 2N6276, 2N6277, MJ802G, NTE180.
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