Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar PNP 2SA965-O - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar 2SA965-O

• Tipo: PNP
• Tensão Coletor-Emissor: -120 V
• Tensão Coletor-Base: -120 V
• Tensão Emissor-Base: -5 V
• Corrente-Coletor: -800 mA
• Dissipação de Coletor: 900 mW
• Ganho de Corrente CC (h_fe): 80 a 140
• Frequência de Transição: 120 MHz
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-92MOD
  
  

Datasheet Completo: 2SA965-O

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Classificação do hFE

Os intervalos de ganho de corrente dos transistores variam conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor 2SA965 estará entre:

• 2SA965-O: 80 a 140
• 2SA965-Y: 120 a 240
• 2SA965: 80 a 240

Par Complementar do Transistor: 

O transistor PNP 2SA965-O é complementar do transistor NPN 2SC2235-O

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SA965-O

O transistor 2SA965-O pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2SA1770, 2SB1212.

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