Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N FS14SM16A - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet FS14SM16A

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 800 V
• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V
• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,70Ω
• Corrente Contínua Dreno: 14A
• Dissipação de energia: 275 W
• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-3PN

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1010E

O transistor FS14SM16A pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

FHA86N30A.

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