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Características Básicas do Transistor Bipolar 2N3866A
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 30 V
- Tensão Coletor-Base (VCBO): 55 V
- Tensão Emissor-Base (VEBO): 4 V
- Corrente-Coletor (IC): 400 mA
- Dissipação Total (PD): 3.5 W
- Potência de Saída (PO): 1 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 25 a 200
- Frequência de transição (FT): 800 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
-
Encapsulamento: TO-39
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N3866A
O transistor 2N3866A pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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