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Características Básicas do Transistor Bipolar 2N5089
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 25 V
- Tensão Coletor-Base: 30 V
- Tensão Emissor-Base: 3 V
- Corrente-Coletor: 50 mA
- Dissipação de Coletor: 625 mW
- Ganho de Corrente CC (hfe): 400 a 1200
- Frequência de Transição: 50 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-92
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N5089
O transistor 2N5089 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSH10, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, ZTX690B.
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