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Características Básicas do Transistor Bipolar 2N5550
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 140 V
- Tensão Coletor-Base: 160 V
- Tensão Emissor-Base: 6 V
- Corrente-Coletor: 600 mA
- Dissipação de Coletor: 625 mW
- Ganho de Corrente CC (hfe): 50 a 200
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Frequência de transição: 300 MHz
- Encapsulamento: TO-92
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Par Complementar do Transistor:
O transistor NPN 2N5550 é complementar do transistor PNP 2N5400
Substitutos e Equivalentes para o Transistor NPN 2N5550
O transistor 2N5550 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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