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Características Básicas do Transistor Bipolar 2N6512
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 400 V
- Tensão Coletor-Base: 300 V
- Tensão Emissor-Base: 7 V
- Corrente-Coletor: 7 A
- Dissipação de Coletor: 120 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 10 a 50
- Frequência de Transição: 3 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
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Encapsulamento: TO-3
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N6512
O transistor 2N6512 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2N6251, 2N6513, 2N6514, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SD822, BUX48,
BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008.
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