Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar NPN BC635 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar BC635

• Tipo: NPN
• Tensão Coletor-Emissor: 45 V
• Tensão Coletor-Base: 45 V
• Tensão Emissor-Base: 5 V
• Corrente-Coletor: 500 mA
• Dissipação de Coletor: 625 mW
• Ganho de Corrente CC (h_fe): 40 a 250
• Frequência de transição: 200 MHz
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-92
  
  

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Par Complementar do Transistor: 

O transistor NPN BC635 é complementar do transistor PNP BC636.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC635

O transistor BC635 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2N5551, 2N2222, 2N4401, BC537, BC639, BD637, 2N5833, 2N5550, 2N5831, 2N5832, 2SC2036, 2SC4145, 2N5830, 2N2405, 2N4410, BC538, BDB01D, MPSL01.

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