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Características Básicas do Transistor Bipolar BC637
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 60 V
- Tensão Coletor-Base: 60 V
- Tensão Emissor-Base: 5 V
- Corrente-Coletor: 500 mA
- Dissipação de Coletor: 625 mW
- Ganho de Corrente CC (hfe): 40 a 160
- Frequência de transição: 200 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-92
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Par Complementar do Transistor:
O transistor NPN BC637 é complementar do transistor PNP BC638.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC637
O transistor BC637 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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