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Características Básicas do Transistor Bipolar NPN BD169
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 80 V
- Tensão Coletor-Base: 80 V
- Tensão Emissor-Base: 5 V
- Corrente-Coletor: 1,5 A
- Dissipação de Coletor: 20 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 40
- Frequência de transição: 6 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
-
Encapsulamento: TO-126; SOT-32
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Módulos!Par Complementar do Transistor:
O transistor NPN BD169 é complementar do transistor PNP BD170
Substitutos e Equivalentes para o Transistor BD169
O transistor BD169 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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