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Características Básicas do Transistor Bipolar BD709
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 80 V
- Tensão Coletor-Base: 80 V
- Tensão Emissor-Base: 5 V
- Corrente-Coletor: 12 A
- Dissipação de Coletor: 75 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 15 a 150
- Frequência de transição: 3 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-220
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Módulos!Par Complementar do Transistor:
O transistor NPN BD709 é complementar do transistor PNP BD710
Substitutos e Equivalentes para o Transistor BD709
O transistor BD709 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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