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Características Básicas do Transistor Bipolar NTE130
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 60 V
- Tensão Coletor-Base: 100 V
- Tensão Emissor-Base: 7 V
- Corrente-Coletor: 15 A
- Dissipação de Coletor: 115 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 15 a 120
- Frequência de transição: 2,5 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
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Encapsulamento: TO-3
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Par Complementar do Transistor:
O Transistor NPN NTE130 é complementar do transistor PNP NTE219Substitutos e Equivalentes para o Transistor NPN NTE130
O transistor NTE130 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2N3055, 2N3055A, 2N5039, BD130, MJ14002, MJ15015, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002G, MJ15015G.
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