Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar NPN S8050D - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar S8050D

• Tipo: NPN
• Tensão Coletor-Emissor: 25 V
• Tensão Coletor-Base: 40 V
• Tensão Emissor-Base: 5 V
• Corrente-Coletor: 700 mA
• Dissipação de Coletor: 1 W
• Ganho de Corrente CC (h_fe): 160 a 300
• Frequência de transição: 100 MHz
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-92
  
  

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Classificação h_FE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (h_FE) do transistor S8050 estará entre:

• S8050C:  120 ~ 200
• S8050D:  160 ~ 300
• S8050E: 280 ~ 400
• S8050: 120 ~ 400

Par Complementar do Transistor:

O transistor NPN S8050D é complementar do transistor PNP S8550D

Substitutos e Equivalentes para o Transistor S8050D

O transistor S8050D pode ser substituído pelos seguintes transistores:

NTE48, S8050, S8050C, S8050E, 2SD471A, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE2341.

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