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Características Básicas do Transistor Bipolar TIPL765
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 850 V
- Tensão Coletor-Base: 850 V
- Tensão Emissor-Base: 10 V
- Corrente-Coletor: 10 A
- Dissipação de Coletor: 125 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 15 a 60
- Frequência de transição: 8 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-218 (SOT-93)
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor TIPL765
O transistor TIPL765 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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