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Características Básicas do Transistor Bipolar 2N1132
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -40 V
- Tensão Coletor-Base: -50 V
- Tensão Emissor-Base: -5 V
- Corrente-Coletor: -600 mA
- Dissipação de Coletor: 600 mW
- Ganho de Corrente CC (hfe): 30 a 90
- Frequência de transição: 50 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
- Encapsulamento: TO-39
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N1132
O transistor 2N1132 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2N2904A, 2N2905A, 2N3081, 2N3503, 2N3636, 2N3671, 2N4037, 2N5416, 2SA571, 2SA922, BC294, BFX30, BFX40, BFX42, BFX46.
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