Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar PNP NTE219 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar NTE219

• Tipo: PNP
• Tensão Coletor-Emissor: -60 V
• Tensão Coletor-Base: -100 V
• Tensão Emissor-Base: -7 V
• Corrente-Coletor: -15 A
• Dissipação de Coletor: 115 W
• Ganho de Corrente CC (h_fe): 15 a 120
• Frequência de transição: 2,5 MHz
• Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
• Encapsulamento: TO-3
  
  

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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!

Par Complementar do Transistor: 

O Transistor PNP NTE219 é complementar do transistor NPN NTE130

Substitutos e Equivalentes para o Transistor NPN NTE219

O transistor NTE219 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

MJ14003, MJ15016, MJ2955, MJ2955A, 2N5879, 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6030, 2N6246, 2N6247, 2N6248, 2N6436, 2N6437, 2N6438, MJ14001, MJ14001G, MJ14003G, MJ15016G, MJ2955G.

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Deus vos Abençoe!

Shalom.