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Características Básicas do Transistor Darlington MJ11016
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 120 V
- Tensão Coletor-Base: 120 V
- Tensão Emissor-Base: 5 V
- Corrente-Coletor: 30 A
- Dissipação de Coletor: 200 W
- Ganho de Corrente DC (hfe): 400 a 1000
- Frequência de Transição: 4 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +200 °C
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Encapsulamento: TO-3
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O transistor PNP MJ11016 é complementar do transistor NPN MJ11015
Substitutos e Equivalentes para o Transistor MJ11016
O transistor MJ11016 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
NTE2349.
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