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Características Básicas do Transistor Darlington NTE99
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 400 V
- Tensão Coletor-Base: 600 V
- Tensão Emissor-Base: 8 V
- Corrente-Coletor: 50 A
- Dissipação de Coletor: 250 W
- Ganho de Corrente DC (hfe): 25
- Frequência de Transição: 1 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
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Encapsulamento: TO-3
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor NTE99
O transistor NTE99
pode ser substituído pelos seguintes transistores:
ECG99, MJ10015, MJ10016.
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