Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB3006 - Características e Substituição

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Características básicas do Transistor Mosfet IRFB3006

• Tipo: Canal-N
• Tensão de Ruptura Dreno-Source: 60 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 2,5 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 270 A
• Carga Total da Gate: 200 nC
• Dissipação de energia: 375 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 à +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRFB3006

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB3006

O transistor IRFB3006 pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 

IRFB3006G, IRLB3036, IRLB3036G.

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