Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB3306PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB3306PbF

• Tipo: Canal-N
• Tensão de Ruptura Dreno-Source: 60 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 4,2 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 160 A
• Carga Total da Gate: 85 nC
• Dissipação de energia: 230 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB3306 e  >IRFB3306PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB3306PbF

O transistor IRFB3306PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB3306, IRFB3306G, VBZM80N80.

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