Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 10N65 - Características e Substituições

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-10N65-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet 10N65

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,86 Ω

• Corrente contínua Dreno: 10 A

• Carga Total da Gate: 57 nC

• Dissipação de energia: 156 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no link abaixo!

Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 10N65

O transistor Mosfet 10N60 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

12N65A, 12N70, 12N80, 12N80, 15N65.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso Blog! Clique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço.

Deus vos Abençoe!

Shalom!