Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 15N65-TF1 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet 15N65-TF1

• Marcação no Transistor: 15N65-TF1

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V

• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V

• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,44 Ω

• Corrente Contínua Dreno: 15 A

• Carga Total da Gate: 63 nC

• Dissipação de energia: 37 W

• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220F

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 15N65-TF1

O transistor 15N65-TF1 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

15N65G‑TF1‑T, 16N65MF, CS16N65F, CS20N65F, FHF15N65A, FIR20N65AFG, HM16N65F, HM20N65F, JFFC20N65C.

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