Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 20N65 - Características e Substituições

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Características básicas do Transistor Mosfet 20N65

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,45 Ω
• Corrente contínua Dreno: 20 A
• Carga Total da Gate: 170 nC
• Dissipação de energia: 300 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 à +150 °C
• Encapsulamento: TO-247

Datasheet completo 20N65

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 20N65

O transistor Mosfet 20N65 pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 

22N65.

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