Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 22N60 - Características e Substituição

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Características básicas do Transistor Mosfet 22N60

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 240mΩ
• Corrente contínua Dreno: 22 A
• Carga Total da Gate: 150 nC
• Dissipação de energia: 370 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 à +150 °C
• Encapsulamento: TO-247

Datasheet completo: 22N60

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 22N60

O transistor 22N60 pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 

PTW36N60, TK65L60V, IXTQ30N60P.

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