Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 2SK3680 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SK3680

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,11 Ω

• Corrente contínua Dreno: 52A

• Carga Total da Gate: 114 nC

• Dissipação de energia: 600 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-247

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SK3680

O transistor Mosfet 2SK3680 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

APL502LG, APT50M65B2LL.

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