Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 50N06 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 50N06

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,023Ω ou 23 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 50A
• Carga Total da Gate: 40 nC
• Dissipação de energia: 130 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220, TO220F

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 50N06

O transistor Mosfet 50N06 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

80N06, 80N08, IRF1010E, IRF100B201, IRF1407, IRF2807Z, IRF2907Z, IRF3808, IRF8010, IRFB4110, IRFB4115. IRFB4310, IRFB4310PbF, IRFB4228, IRFB4228PBF, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4321PBF.

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