Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 80N06 - Características e Substituições

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-80N06-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet 80N06

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,005Ω ou 5 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 90A
• Carga Total da Gate: 70 nC
• Dissipação de energia: 136 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no link abaixo!

Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 80N06

O transistor Mosfet 80N06 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

80N08, IRF1010E, IRF100B201, IRF1407, IRF2807Z, IRF2907Z, IRF3808, IRF8010, IRFB4110, IRFB4115. IRFB4310, IRFB4310PbF, IRFB4228, IRFB4228PBF, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4321PBF.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso Blog! Clique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.