Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 80N08 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 80N08

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 80 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 12 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 80A

• Carga Total da Gate: 180 nC

• Dissipação de energia: 300 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 80N08

O transistor Mosfet 80N08 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF100B201, IRF8010, IRFB4110, IRFB4115, JCS160N08I, PTP90N08.

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