Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 8N60 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 8N60

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,2Ω

• Corrente contínua Dreno: 7,5A

• Carga Total da Gate: 36 nC

• Dissipação de energia: 147 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220, TO220F, TO220F1, TO262

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 8N60

O transistor Mosfet 8N60 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

9N65, 10N60, 10N65, 11N90, 12N60, 8N65, 15N65, IRF830P, IRFB9N60A, IRFB9N65A.

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