Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N FQP10N60C - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet FQP10N60C

• Marcação Transistor: 10N60C

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,73 Ω

• Corrente contínua Dreno: 9,5A

• Dissipação de energia: 156 W

• Carga de Gate Total: 57 nC

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor FQP10N60C

O transistor Mosfet FQP10N60C pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

10N60, 10N65, 11N90, 12N65, 12N70, FQP10N60, P10N60.

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