Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF3808 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF3808

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 75 V
• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 7 mΩ
• Corrente Contínua Dreno: 140 A
• Carga Total da Gate: 220 nC
• Dissipação de energia: 330 W
• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF3808

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF3808

O transistor IRF3808 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF2907Z, IRF2907ZPbF, IRFB3077, IRFB3077GPBF, IRFP3077PBF, IRFB3207, IRFB4110, IRFB4310, IRFB4110G, IRFB4310.

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