Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF430 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF430

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,5 Ω

• Corrente contínua Dreno: 4,5 A

• Carga Total da Gate: 30 nC

• Dissipação de energia: 75 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-204AA

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF430

O transistor Mosfet IRF430 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2N6762, 2N6912, 2N6914, 2N7122, 2N7297, 2SK1064, 17N60, IRF442.

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