Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF640N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF640N

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 200 V

• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 0,15 Ω

• Corrente contínua Dreno (I_D): 18 A

• Carga Total da Gate (Q_g): 67 nC

• Dissipação de energia (P_D): 150 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF640N

O transistor IRF640N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

40N20, IRFB260N, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4227, IRFB4332, CS40N20A8, IRFB23N20D, IRFB31N20D, IRFB38N20D, IRFB4229, IRFB4233, IRFB42N20D.

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