|
|
|
Características Básicas do Transistor Mosfet IRF730
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1 Ω
- Corrente contínua Dreno: 5,5 A
- Carga Total da Gate: 38 nC
- Dissipação de energia: 74 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
link abaixo!
Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF730
O transistor IRF730 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
9N65,
IRF730A, IRF730B, IRF740,
IRF740A,
IRF840,
IRF840A,
IRFB9N60A,
IRFB9N60APbF,
IRFB13N50A, IRF740B, IRF740LC, IRF840LC, IRFB17N50L, IRFB9N65A.
Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de
mensagem abaixo!
Copiar Chave:
0fed5250-57c5-4bc6-9095-e62f7d812416
Nenhum comentário:
Postar um comentário