Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF730A - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF730A

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1 Ω

• Corrente contínua Dreno: 5,5 A

• Carga Total da Gate: 22 nC

• Dissipação de energia: 74 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF730A

O transistor IRF730A pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

9N65, 13N50, IRF730B, IRF740A, IRF840A, IRFB9N60A, IRFB9N60APbF, IRFB13N50A, BUZ91A, IRF740B, IRF740LC, IRF840LC, IRFB17N50L, IRFB9N60A, IRFB9N65A­­­.

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