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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF740A
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,55 Ω
- Corrente contínua Dreno: 10 A
- Carga Total da Gate: 36 nC
- Dissipação de energia: 125 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF740A
O transistor IRF740A pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRFB13N50A, IRF740LC, IRF740S, IRFB17N50L, BUZ61A, MTP10N40E.
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