Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF8010 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF8010

• Tipo: Canal-N
• Tensão de Ruptura Dreno-Source (V_DSS): 40 V
• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 12 mΩ
• Corrente contínua Dreno (I_D): 162 A
• Carga Total da Gate (Q_g): 120 nC
• Dissipação de energia (P_D): 260 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF8010

O transistor IRF8010pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 

IRFB4110, IRFB4115, IRFB4310, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4321, IRFB4321G.

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