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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB260N
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,04 Ω
- Corrente contínua Dreno: 56 A
- Carga Total da Gate: 150 nC
- Dissipação de energia: 380 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB260N
O transistor IRFB260N pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRFB4332, IRFB260NPBF.
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