Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB3077GPbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB3077GPbF

• Tipo: Canal-N
• Tensão de Ruptura Dreno-Source: 75 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 3,3 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 210 A
• Carga Total da Gate: 220 nC
• Dissipação de energia: 370 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRFB3077GPbF

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB3077 e IRFB3077PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB3077GPbF

O transistor IRFB3077GPbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB3077, IRFB3077PbF, IRFB4110.

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