Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB3207PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB3207PbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de Ruptura Dreno-Source: 75 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 4,5 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 180 A

• Carga Total da Gate: 180 nC

• Dissipação de energia: 330 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB3207 e IRFB3207PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB3207PbF

O transistor IRFB3207PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB3077, IRFB3077GPbF, IRFB3077PbF, IRFB3207, IRFB4110, IRFB4110G, IRLB4030, IRLB4030PBF.

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