Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB3607PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB3607PbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de Ruptura Dreno-Source: 75 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 9 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 80 A

• Carga Total da Gate: 84 nC

• Dissipação de energia: 140 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB3607 e IRFB3607PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB3607PbF

O transistor IRFB3607PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB3607, 110N10, 140N10, IRF4410A, IRFB3607G, IRFB7740, IRFP3207Z.

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