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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4019PbF
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 150 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 95 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 17 A
- Carga Total da Gate: 20 nC
- Dissipação de energia: 80 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Módulos!Informação Relevante
A diferença principal entre os transistores IRFB4019 e IRFB4019PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4019PbF
O transistor IRFB4019 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRFB4019, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4332, IRFB52N15D, IRF640, IRF640N, IRFB260N, IRFB4127, IRFB4227, IRFB5620, IRFB5620PbF, IRF3315, IRF3415, IRFB31N20D, IRFB38N20D, IRFB4115, IRFB4115G, IRFB41N15D, IRFB4229, IRFB4233, IRFB42N20D, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4615, IRFB4620, IRFB5615, IRFB61N15D.
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