Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4110 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4110

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 4,5 mΩ
• Corrente Contínua Dreno: 180 A
• Carga Total da Gate: 150 nC
• Dissipação de energia: 370 W
• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 à +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4110

O transistor IRFB4110 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRLB4030, IRFB4110G, IRFB4110Q.

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